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DMPH4013SK3-13
1个P沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH4013SK3-13
- 商品编号
- C5221857
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.544克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,55A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.004nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AP2300-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品AP2300-ES为无铅产品。
商品特性
- 20V，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 25 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 29 mΩ（典型值），栅源电压（VGS） = 2.5 V
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换