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NSVMMUN2231LT1G
50V 100mA
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- 描述
- 该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVMMUN2231LT1G
- 商品编号
- C5206401
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 246mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 8@5mA,10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 1.2V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@5mA,10mA |
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