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HYG017N10NS1TA

1个N沟道耐压:100V 电流:330A

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描述: 特性：100V/330A。 RDS(ON) = 1.6mΩ（典型值），@VGS = 10V。 100%雪崩测试。可靠耐用。可提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。逆变器系统的电源管理
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG017N10NS1TA
商品编号: C5205219
商品封装: TOLL-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.32克(g)

商品参数

65R280Q是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还能降低开关损耗。