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TK15A60D(STA4,X,M)
1个N沟道 耐压:600V
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.31Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0 ± 0.4V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK15A60D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C5198102
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
IRFZ44NS/IRFZ44N采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏极电流（ID） = 50 A（栅源电压（VGS） = -10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 12 mΩ（栅源电压（VGS） = 10 V）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V）
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