BFU660F,115
NPN 电流:60mA 电压:5.5V
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU660F,115
- 商品编号
- C5196270
- 商品封装
- SOT-343F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 60mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 5.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 180 | |
| 特征频率(fT) | 21GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 2.5V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
BFU660F是一款NPN宽带硅RF晶体管,它是一款适用于高速低噪声应用的NPN硅微波晶体管,采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装。注意:该器件对静电放电(ESD)敏感,处理静电敏感器件需遵守相关注意事项,此类注意事项在ANSI/ESD S20.20、IEC/ST 61340-5、JESD625-A或同等标准中有描述。
商品特性
- 低噪声高线性度RF晶体管
- 在1.8 GHz频率下输出三阶截点为27 dBm
- 采用40 GHz fT硅工艺
应用领域
- 模拟/数字无绳应用
- X波段高输出缓冲放大器
- ZigBee
- SDARS第二级LNA
- LTE
- 蜂窝
- UMTS



