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BFU660F,115实物图
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BFU660F,115

NPN 电流:60mA 电压:5.5V

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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
BFU660F,115
商品编号
C5196270
商品封装
SOT-343F​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)60mA
集射极击穿电压(Vceo)5.5V
耗散功率(Pd)225mW
直流电流增益(hFE)180
特征频率(fT)21GHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))-
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)2.5V
数量1个NPN
配置独立式

商品概述

BFU660F是一款NPN宽带硅RF晶体管,它是一款适用于高速低噪声应用的NPN硅微波晶体管,采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装。注意:该器件对静电放电(ESD)敏感,处理静电敏感器件需遵守相关注意事项,此类注意事项在ANSI/ESD S20.20、IEC/ST 61340-5、JESD625-A或同等标准中有描述。

商品特性

  • 低噪声高线性度RF晶体管
  • 在1.8 GHz频率下输出三阶截点为27 dBm
  • 采用40 GHz fT硅工艺

应用领域

  • 模拟/数字无绳应用
  • X波段高输出缓冲放大器
  • ZigBee
  • SDARS第二级LNA
  • LTE
  • 蜂窝
  • UMTS