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BFU768F,115引脚图
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BFU768F,115

NPN 电流:70mA 电压:2.8V

品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
BFU768F,115
商品编号
C5196275
商品封装
SOT-343F​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)70mA
集射极击穿电压(Vceo)2.8V
耗散功率(Pd)220mW
直流电流增益(hFE)155
特征频率(fT)110GHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))-
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)1V
数量1个NPN
配置独立式

商品概述

一款NPN型硅锗微波晶体管,适用于高速低噪声应用,采用塑料4引脚双发射极SOT343F封装。该器件对静电放电(ESD)敏感,处理静电敏感器件时需遵守防护规范,相关规范可参见ANSI/ESD S20.20、IEC/ST 61340-5、JESD625-A或同等标准。

商品特性

  • 低噪声高线性度RF晶体管
  • 采用110 GHz fT硅锗技术
  • 低电流下具备线性度,增益高
  • 最小噪声系数低,2.4 GHz时为0.50 dB,5.8 GHz时为0.74 dB
  • 可提供适用于2.4 GHz ISM频段、4.9 GHz至5.9 GHz U-NII频段的低元件数量Wi-Fi LNA应用电路,具备优化的RF性能
  • 开启/关闭速度极快
  • 无条件稳定
  • 采用不同应用电路可实现更高IP3、更高增益或更低噪声系数

应用领域

  • 高线性度应用
  • 中等输出功率应用
  • Wi-Fi/WLAN/WiMAX
  • ZigBee