温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPM20P7S3L
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM20P7S3L
- 商品编号
- C5189719
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.73nF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 20V、4A，在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 55 mΩ
- 20V、3.4A，在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 70 mΩ
- 20V、2.8A，在VGS = 1.8 V时，RDS(ON) = 90 mΩ
- 高密单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力