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AO4419
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.7A
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- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4419
- 商品编号
- C5189727
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23.5mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.97nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理
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