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MCU18P10Y-TP
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- 特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 低导通电阻和品质因数。 出色的稳定性和均匀性。 极低的开关损耗。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 可根据要求提供无卤产品（添加后缀“-HF”）。 无铅表面处理/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准）
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCU18P10Y-TP
- 商品编号
- C5185851
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 97pF |