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HYG037N04LR1D
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- 特性：40V/80A，RDS(ON) = 3.8mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 6.1mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：负载开关。 锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG037N04LR1D
- 商品编号
- C5185879
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WSP6055是高性能沟槽P沟道MOSFET，具备极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP6055符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器
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