温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.216nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用先进的沟槽MOSFET - DPMOS技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg x RDS(on)乘积（品质因数）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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