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NCE3065Q实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3065Q

1个N沟道 耐压:30V 电流:65A

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描述
NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
商品型号
NCE3065Q
商品编号
C5183008
商品封装
DFN-8L(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.10015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)65A
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ@10V;6mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.784nF
反向传输电容(Crss)212pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)266pF

商品概述

NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)以及低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • \bullet VDS = 30V,ID = 65
  • RDS(ON) = 4.2 m Ω (典型值)@ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 6.0 m Ω (典型值)@ VGS = 4.5 V
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(on)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 工作温度 150℃
  • 无铅引脚镀层

应用领域

-DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF