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CM4407
P沟道，30V（D-S）功率MOSFET
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- 描述
- CM4407 是采用沟槽技术的高单元密度 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最大程度降低导通电阻。
- 商品型号
- CM4407
- 商品编号
- C5183028
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4459采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS:-30V
- ID:-12.3A
- RDS(ON)(@VGS = -20V):< 11mΩ
- RDS(ON)(@VGS = -10V):< 12.5mΩ
- RDS(ON)(@VGS = -4.5V):< 25mΩ
- 高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和直流电流能力
应用领域
-手机及配件-个人数字助理-便携式仪器-负载开关