温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CM4407
P沟道，30V（D-S）功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CM4407 是采用沟槽技术的高单元密度 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最大程度降低导通电阻。
- 商品型号
- CM4407
- 商品编号
- C5183028
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
4459采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -6.5A
- VGS = -10V时，RDS(ON) < 38mΩ
- VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 65mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理