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CM3400
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- CM3400是采用高单元密度沟槽技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计对开关性能进行了优化，尤其旨在将导通电阻降至最低。
- 商品型号
- CM3400
- 商品编号
- C5183027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽MOSFET技术
- 低RDSon.sp实现更低的RDS(on)，降低传导损耗
- 出色的Qg × RDS(on)品质因数（FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
- 电池管理-电源管理开关
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