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CM3407
耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- CM3407是采用高单元密度沟槽技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。
- 商品型号
- CM3407
- 商品编号
- C5183026
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 73pF |
商品概述
CM3400是采用高单元密度沟槽技术的N沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺和设计优化了开关性能，尤其旨在最小化导通电阻。
商品特性
- 漏源电压(VDS):-30V
- 漏极电流(ID):-4.1A
- 导通电阻RDS(ON)(@栅源电压VGS = -10V):< 55mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(@栅源电压VGS = -4.5V):< 68mΩ
- 高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和直流电流承载能力
应用领域
-手机及配件-个人数字助理-便携式仪器-负载开关