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BCQ65N15M1
BCQ65N15M1
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- 描述
- SiC MOSFET,650V, 15mΩ
- 商品型号
- BCQ65N15M1
- 商品编号
- C54906923
- 商品封装
- Q-DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 耗散功率(Pd) | 728W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 297pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ |
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