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BCQ120N21M1

BCQ120N21M1

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描述
SiC MOSFET,1200V, 21mΩ
商品型号
BCQ120N21M1
商品编号
C54906929
商品封装
Q-DPAK​
包装方式
编带
商品毛重
2.514克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)121A
耗散功率(Pd)498W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)111nC
输入电容(Ciss)2.949nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)170pF
导通电阻(RDS(on))21mΩ

数据手册PDF