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BCBF65N27M1
BCBF65N27M1
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- 描述
- SiC MOSFET,650V, 27mΩ
- 商品型号
- BCBF65N27M1
- 商品编号
- C54906925
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.318克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 耗散功率(Pd) | 273W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.853nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 207pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ |
- BCD80N380W1
- BCQ120N16M1
- BCQ120N21M1
- BCW170N650T1
- BSB10NH025SK1
- BSB10NH027SK1
- BST10NH032SK1
- BSB10NH057SK1
- BSP10NH028SK1
- BST10NH018SK1
- BST15NH039SK1
- 24SH10410 HF-CND
- HCMM3216L-600 T-CND
- HCMM2012-801Y T-CND
- KMCC0805N-2-801T01-CND
- KMDC1206M-2-620T1G-CND
- UTL3416C01 T-CND
- LC0402SNH T-CND
- 03.LF.8011NZNDT-CND
- T060303-151D-P01503
- TCS065125-150-P00156