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BCD80N380W1引脚图
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BCD80N380W1

BCD80N380W1

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描述
SiC MOSFET,800V, 380mΩ
商品型号
BCD80N380W1
商品编号
C54906927
商品封装
DAPK​
包装方式
编带
商品毛重
0.411克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)10A
耗散功率(Pd)54.7W
阈值电压(Vgs(th))3.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10.6nC
输入电容(Ciss)208pF
反向传输电容(Crss)1.8pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)18pF
导通电阻(RDS(on))380mΩ

数据手册PDF