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2N7002KN3T5G
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：60V, 300mA, RDS(ON) = 1.7Ω@VGS = 10V。 快速开关。 有环保型产品。 2KV HBM ESD 能力。应用：笔记本电脑。 智能手机
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2N7002KN3T5G
- 商品编号
- C5174638
- 商品封装
- SOT-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2pF |
商品概述
G40P03K采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 60V、300mA,VGS = 10V 时 RDS(ON) = 1.7Ω
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 2KV 人体模型静电放电抗扰度
应用领域
-笔记本电脑-智能手机-电池保护-手持仪器