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2N7002KT
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 此款N沟道MOS管采用SOT-523封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：300MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2N7002KT
- 商品编号
- C5174642
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2pF |
商品特性
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：（在栅源电压（VGS）为10 V时为35 mΩ，在VGS为4.5 V时为40 mΩ）
- 超高密度单元设计沟槽技术
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 无铅无卤
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