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MS3416
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- MS3416采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS3416
- 商品编号
- C5174644
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
UTC 10N70是一款高压大电流功率MOSFET，具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC - DC转换器和桥式电路等高速开关应用中。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 5.0A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 1.2Ω
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC - DC转换器
- 桥式电路
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