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2N7002KM
N沟道MOSFET,电流:200mA,耐压:60V
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- 描述
- 此款N沟道MOS管采用SOT-723封装，他具备低内阻，低功耗,搭载连续漏极电流(Id)：200MA,VDSS:60V，被广泛应用于各种电子设备中，包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用，是你PCB中理想的7002
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 2N7002KM
- 商品编号
- C5174641
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V；1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 156mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
G40P03D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS -30V
- ID（VGS = -10 V时） -35A
- RDS(ON)（VGS = -10V时） < 10mΩ
- RDS(ON)（VGS = -4.5V时） < 14mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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