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NTD5806NT4G-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:55A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于设计各种电源模块、电动汽车辅助系统、工业控制器等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；55A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD5806NT4G-VB
- 商品编号
- C558210
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.801nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 570pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- 直流-直流转换器