RFD15P05-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型Trench技术MOSFET,适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251;;N—Channel沟道,-60V;-20A;RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
RFD15P05-VB商品编号
C558231商品封装
TO-251包装方式
管装
商品毛重
0.863克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 150pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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