RFD15P05-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P型Trench技术MOSFET,适用于电源管理、电动车辆、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块,为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。TO251;;N—Channel沟道,-60V;-20A;RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RFD15P05-VB
- 商品编号
- C558231
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.863克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
应用领域
- 负载开关
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