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NTE4153NT1G-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.85A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N结构设计，采用Trench技术，适用于低功率、高效能和高可靠性要求的电路和模块。SC75-3；N—Channel沟道,20V；0.85A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTE4153NT1G-VB
- 商品编号
- C558213
- 商品封装
- SC-75-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单