P06B03LVG-VB
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.3A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双通道功率场效应管,采用Trench工艺,适用于需要高功率和高耐压的应用场景,包括电源开关、电机控制、汽车电子和LED照明等领域的相关模块。SOP8;2个P—Channel沟道,-30V;-7.3A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
P06B03LVG-VB商品编号
C558224商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,6.3A | |
功率(Pd) | 5W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 185pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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