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2N80L-TF1-T
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.4A
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- 描述
- 是N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术，提供平面条纹和DMOS技术。该技术专门用于实现最小导通电阻和卓越的开关性能。还能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。普遍应用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N80L-TF1-T
- 商品编号
- C5157614
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3Ω@10V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
F7N70是一款高压功率MOSFET，具备更佳的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10V、ID = 3.5A条件下，RDS(ON) ≤ 1.4Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高抗扰性
应用领域
- 开关电源-适配器