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2N80L-TF1-T
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.4A
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- 描述
- 是N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术，提供平面条纹和DMOS技术。该技术专门用于实现最小导通电阻和卓越的开关性能。还能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。普遍应用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 2N80L-TF1-T
- 商品编号
- C5157614
- 商品封装
- TO-220F1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
商品概述
UTC 2N80是一款N沟道功率MOSFET,采用UTC先进技术,为客户提供平面条状和DMOS技术。该技术专门用于实现极低的导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。UTC 2N80广泛应用于高效开关模式电源。
商品特性
- RDS(导通) ≤ 6.3Ω @ VGS = 10V,ID = 1.2A
- 高开关速度
应用领域
- 高效开关模式电源