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4N80L-TA3-T
4.0A、800V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 4N80 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进技术，具备平面条形和 DMOS 技术。该技术专门用于实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N80L-TA3-T
- 商品编号
- C5157616
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 106W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 无铅设计/符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准