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4N80G-TF3-T
4.0A、800V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- UTC 4N80 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 UTC 先进技术，为客户提供平面条形和 DMOS 技术。该技术专门用于实现最低导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲
- 品牌名称
- UTC(友顺)
- 商品型号
- 4N80G-TF3-T
- 商品编号
- C5157617
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UTC 4N80是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面条形和DMOS技术。该技术可实现极低的导通电阻和出色的开关性能，还能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。 UTC 4N80广泛应用于高效开关电源。
商品特性
- 当VGS = 10V时，RDS(on) = 3.0 Ω
- 开关速度快
- 改善了dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 高效开关电源
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