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TPNTD5C668NLT4G
N沟道增强型MOSFET，低栅极电荷以减少开关损耗
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTD5C668NLT4G
- 商品编号
- C54561929
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3682克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压（VDs）：60 V
- 漏极电流（IDs）：80 A
- 导通电阻（RDs (ON)）（在栅源电压（VGs） = 10 V时）：≤5.5 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷，可最小化开关损耗
- 封装形式为TO - 252
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源
- TPSI4114DY-T1-GE3
- TPSP3130-01ETG
- SN74AHC126PWR-TP
- SN74AHC14PWR-TP
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- TPSP4010-02HTG
- TPSPHV15-01KTG-C
- TPSPX432M-L
- PUN-H-4×0,75-BL，197383
- EGC-70-600-BS-10P-KF-0H-ML-GK
- ISV-M5
- LFR-1-D-7-O-DI-MAXI，192385