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TPNTD5C668NLT4G
N沟道增强型MOSFET，低栅极电荷以减少开关损耗
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTD5C668NLT4G
- 商品编号
- C54561929
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3682克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 漏源电压（VDs）：60 V
- 漏极电流（IDs）：80 A
- 导通电阻（RDs (ON)）（在栅源电压（VGs） = 10 V时）：≤5.5 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷，可最小化开关损耗
- 封装形式为TO - 252
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源
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