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TPSI4114DY-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPSI4114DY-T1-GE3

高单元密度沟槽型N沟道MOSFET

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商品型号
TPSI4114DY-T1-GE3
商品编号
C54561930
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)10W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)45nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.7nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)320pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • TPSI4114DY-T1-GE3是高单元密度沟槽N沟道MOSFET,为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。
  • TPSI4114DY-T1-GE3符合RoHS和绿色产品要求,100%保证具有EAS(待译),并通过全功能可靠性认证。
  • 引脚配置为SOP - 8。

数据手册PDF