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PMV15ENEAR(TP)
N沟道增强型MOSFET，适用于接口开关、负载开关、DC/DC转换器，具备ESD保护栅极
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- PMV15ENEAR(TP)
- 商品编号
- C54561890
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏极电流（ID）：6A
- 导通电阻（RDs(ON)，Vgs = 10V）≤20mΩ
- 栅极典型静电放电（ESD）保护
应用领域
- 接口开关
- 负载开关
- 便携式设备和电池
- 直流-直流转换器