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CA-IS3212VCS
适用于IGBT/SiC/GaN的单通道增强隔离栅极驱动器，具有高CMTI、出色动态性能和高可靠性
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- 描述
- 适用于 IGBT/SiC/GaN、高 CMTI、单通道增强隔离栅极驱动器
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3212VCS
- 商品编号
- C54557222
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750V | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT、SiC、GaN | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~5.5V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 传播延迟 tpLH | 85ns | |
| 传播延迟 tpHL | 85ns | |
| 静态电流(Iq) | 1.15mA | |
| CMTI(kV/us) | 150kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13.2V~33V | |
| 功能特性 | 米勒钳位保护；死区时间控制 |
商品概述
该系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，用于驱动MOSFET、IGBT、GaN、SiC MOSFET等功率器件，具备出色的动态性能和高可靠性，提供高达4A/5A的峰值拉/灌电流能力。采用SiO₂电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8kVPK浪涌抗扰度，在额定工作电压下隔离栅寿命超过40年，并具有良好的器件一致性以及>150 kV/μs的共模瞬态抗扰度。具备控制和驱动侧电源欠压锁定功能，针对SiC、GaN和IGBT的开关行为进行了优化，提高了可靠性。部分型号内置5A峰值电流有源米勒钳位；部分型号提供外置COM引脚，便于隔离驱动侧正负电源供电；部分型号具有OUTH和OUTL分离输出配置。器件采用8引脚窄体或宽体SOIC封装，额定工作结温范围为–40°C至+150°C。
商品特性
- 驱动高达2121 VPK的SiC MOSFET和IGBT
- 4A/5A峰值拉/灌驱动电流能力
- 输入兼容CMOS或TTL逻辑
- 宽电源范围：3.0V至5.5V输入侧VCC电源，高达33V的输出驱动电源（VDD – VEE），并提供4V、6V、8V、12V等多种欠压锁定选项
- 输入引脚上40ns（典型值）脉冲抑制功能
- 85ns（典型值）传播延迟，15ns（最大值）脉宽失真，15ns（最大值）器件间延时匹配
- 可选SOIC8-WB宽体封装（爬电距离和电气间隙>8mm，5700 VRMS隔离耐压）或SOIC8窄体封装（爬电距离和电气间隙>4mm，3750 VRMS隔离耐压）
- 高共模瞬态抗扰度：>150 kV/μs
- 额定工作电压下隔离栅寿命大于40年
- 工作结温范围：–40°C至150°C
- 安全认证（申请中）：符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)、UL 1577、GB4943.1-2022、EN 62368-1和EN 61010-1标准
应用领域
- 电机逆变器
- 新能源车载充电器
- 光伏逆变器
- 储能变流器
- 充电桩功率模块