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CA-IS3214TSCG
适用于IGBT/SiC、高CMTI、具有拉/灌电流能力的单通道增强隔离栅极驱动器
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- 描述
- 适用于 IGBT/SiC、高 CMTI、10A 拉/灌电流的单通道增强隔离栅极驱动器
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3214TSCG
- 商品编号
- C54557225
- 商品封装
- SOIC-8W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
CA-IS3214 是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱动器，可用于驱动 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 等功率器件。该驱动器具有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达 10A/10A 峰值的拉/灌电流能力。
CA-IS3214 通过 SiO 电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的电气隔离，支持 1.5kV 的隔离工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过 40 年，同时具有良好的器件一致性以及>150kV/μs 的共模瞬态抗扰度（CMTI）。
CA-IS3214 具有控制和驱动侧电源 UVLO 功能，同时针对 SiC 和 IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CA-IS3214MxG 内置 5A 峰值电流有源米勒钳位；CA-IS3214SxG 和 CA-IS3214TSCG 具有 OUTH 和 OUTL 分离输出配置。
CA-IS3214 输入 IN+/IN–提供 CMOS 或者 TTL 逻辑选项，其中 CA-IS3214TSCG 为 TLL 逻辑，其它料号为 CMOS 逻辑。
CA-IS3214 器件采用 8 引脚宽体 SOIC 封装。所有器件的额定工作结温范围为 –40°C 至 +150°C。
商品特性
- 驱动高达 2121VPK 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 10A/10A 峰值拉/灌驱动电流能力
- 输入 CMOS 或者 TTL（CA-IS3214TSCG）逻辑
- 宽电源范围：3.0V 至 5.5V 输入侧 VCC 电源范围，高达 33V 的输出驱动电源（VDD –VEE），具有两种 UVLO 选项：B 版本 8V，C 版本 12.5V
- 输入引脚上 30ns（典型值）脉冲抑制功能
- 延时特性：80ns（典型值）传播延迟，15ns（最大值）脉宽失真，15ns（最大值）器件间延时匹配
- SOIC8-WB 封装，爬电距离和电气间隙>8.2mm，5700VRMS 隔离耐压等级
- 高共模瞬态抗扰度：>150kV/μs
- 额定工作电压下隔离栅寿命大于 40 年
- 工作结温（TJ）范围：–40°C 至 150°C
- 安全认证（申请中）：根据 DIN EN IEC 60747-17(VDE 0884-17):2021-10 的 VDE 认证，根据 UL 1577 的 UL 认证，根据 GB4943.1-2022 的 CQC 认证，根据 EN 62368-1 和 EN 61010-1 的 TUV 认证
应用领域
- 电机逆变器
- 新能源车载充电器
- 光伏逆变器
- 储能变流器
- 充电桩功率模块
- 伺服驱动器
- 变频器
- UPS 及工业电源等