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KND3403C
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：80A, 30V, RDS(on)(典型值) = 5.0mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：UPS。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND3403C
- 商品编号
- C5156063
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、-3.3A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 96mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明