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SWB076R68E7T
耐压:68V 电流:85A
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- 描述
- 该功率 MOSFET 采用先进技术制造，具备快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWB076R68E7T
- 商品编号
- C5151839
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 138.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.467nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其是出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 低 RDS(ON)(典型值7.6mΩ)@ VGS = 10 V
- 低栅极电荷(典型值70nC)
- 改善的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器