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SWD7N65J
耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款功率MOSFET采用先进的超结技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优的特性，包括快速的开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
- 品牌名称
- Samwin(芯派)
- 商品型号
- SWD7N65J
- 商品编号
- C5151758
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF@200V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF@200V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 85V，漏极电流（ID） = 110A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.1 mΩ，典型值，栅源电压（VGS） = 10V 时
- 出色的栅极电荷 x 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达 150°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行单脉冲雪崩耐量测试！
- 100% 进行 ΔVds 测试！
应用领域
- 直流-直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流应用