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CMD30N10L
MOS管 TO-252 100V 30A
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- 描述
- MOS管，封装：TO-252，电压：100V，电流：30A，10V内阻：0.046毫欧，4.5V内阻：0.05毫欧，功率：85W，CissTyp：1800pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD30N10L
- 商品编号
- C54443154
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
30N10L采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于多种应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
- 适用于高频开关和同步整流