温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMH52N20
MOS管 TO-247 200V 52A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MOS管，封装：TO-247，电压：200V，电流：52A，10V内阻：0.05毫欧，功率：300W，CissTyp：3900pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH52N20
- 商品编号
- C54443159
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
52N20采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。200V、典型44mΩ、52A的N沟道MOSFET。
商品特性
- 改善了dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 功率因数校正