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CMSC6683A
MOS管 DFN-8 3.3x3.3 -20V -54A
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- 描述
- MOS管，封装：DFN-8 3.3x3.3，电压：-20V，电流：-54A，4.5V内阻：0.01毫欧，功率：55W，CissTyp：3360pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC6683A
- 商品编号
- C54443167
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
CMSC6683A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
- -20V、典型值8.5mΩ、-54A的P沟道MOSFET
应用领域
便携式设备中的负载/电源开关