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CMHG65R090
SiC MOS TO-247 650V 60A
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- 描述
- SiC MOS，封装：TO-247，电压：650V，电流：60A，10V内阻：0.12毫欧，功率：250W，CissTyp：1050pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMHG65R090
- 商品编号
- C54443162
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET器件采用Cmos先进的SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻（RDS(on)），同时具备低电容和极高的开关操作能力，可在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻等方面提升应用性能。
商品特性
- 高开关速度和低栅极电荷
- 快速本征二极管和低反向恢复
- 增强的雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电动汽车充电基础设施
- 不间断电源