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2SB1202D-T
三极管 TO-252 -50V -3A
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- 描述
- 三极管，封装：TO-252，电压：-50V，电流：-3A
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- 2SB1202D-T
- 商品编号
- C54443152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV；220mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
2SB1202是PNP硅功率晶体管，专为通用放大器和低速开关应用而设计。
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 低集电极 - 发射极饱和电压
- 符合RoHS标准
应用领域
适用于中功率开关