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ES8205
2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 2个N沟道，5A，19.5mΩ@4.5V,4A，0.7V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ES8205
- 商品编号
- C5140343
- 商品封装
- SOT23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@4.5V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 670mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻低（典型值1.3Ω）
- 栅极电荷低（典型值22nC）
- 改善了dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-LED-充电器