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ESN7401
1个N沟道 耐压:30V 电流:31A
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- 描述
- P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESN7401
- 商品编号
- C5140351
- 商品封装
- DFN3x3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ES8205 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ES8205 为无铅产品。
商品特性
- 19.5V，栅源电压（VGS）= 4.5V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 19.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS）= 2.5V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)）= 26.5 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换