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ESN7403
1个P沟道 耐压:30V 电流:31A
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- 描述
- P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- ESN7403
- 商品编号
- C5140350
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 0.24 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：正向传输导纳幅值 (|Y_fs|) = 7.0 S（典型值）
- 低泄漏电流：漏源泄漏电流 (IDSS) = 10 μA（最大值）（当 VDS = 500 V 时）
- 增强型：阈值电压 (V_th) = 2.0 至 4.0 V（当 VDS = 10 V 且 ID = 1 mA 时）