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MS5N100FD
1个N沟道 耐压:1kV 电流:5A
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- 描述
- 超高压MOS管
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS5N100FD
- 商品编号
- C5139245
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 506pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
MEE3710T是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Force-MOS专利扩展沟槽栅（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他调光供电电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用。
商品特性
- 在Vgs = 10 V时，RDS(ON) ≤ 23 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- 同步整流
- 负载开关