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MS12N120HJC0
1个N沟道 耐压:1200V 电流:12A
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- 描述
- 超高压MOSFET
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS12N120HJC0
- 商品编号
- C5139253
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 290W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
AP10TN135N是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 AP10TN135N符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 1200 V,漏极电流(ID) = 12 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 3 Ω
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 栅极电荷低
- 改善了电压变化率(dv/dt)能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高压开关模式和谐振模式电源
- 高压脉冲功率应用
- 激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路
- 高压直流-直流转换器
- 高压直流-交流逆变器