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MS4N1350B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS4N1350B

1个N沟道 耐压:1500V 电流:4A

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描述
超高压MOSFET
商品型号
MS4N1350B
商品编号
C5139254
商品封装
TO-3PB​
包装方式
管装
商品毛重
6.87克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.5kV
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))5.8Ω@10V
耗散功率(Pd)140W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.2V
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)1.408nF
反向传输电容(Crss)19.8pF
工作温度-50℃~+150℃

商品概述

NCE3013J采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 100% 雪崩测试
  • 本征电容和 Qg 最小化
  • 高速开关

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF