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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS8N120FT

1个N沟道 耐压:1200V 电流:8A

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描述
超高压MOSFET
商品型号
MS8N120FT
商品编号
C5139252
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.82克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@10V,4A
耗散功率(Pd)260W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)89.3nC@10V
输入电容(Ciss)3.31nF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 100%雪崩测试
  • 雪崩耐用性
  • 极低的本征电容
  • 高速开关
  • 极低的导通电阻

应用领域

  • 不间断电源(UPS)
  • 开关应用

数据手册PDF